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| Passivation of the resonator end faces of semiconductor lasers based on iii-v semiconductor material 专利
专利号: US20040032893A1, 申请日期: 2004-02-19, 公开日期: 2004-02-19
作者: HAUSLER, KARL; KIRSTAEDTER, NILS
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| 供光電裝置用的氧化鎵塗層 专利
专利号: HK1003439A1, 申请日期: 2000-03-31, 公开日期: 2000-03-31
作者: NILOY KUMAR DUTTA; RUSSEL J. FISCHER; NEIL EDMUND JAMES HUNT; MATTHIAS PASSLACK; ERDMANN FREDERICK SCHUBERT
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| Method of passivating etched mirror facets of semiconductor laser diodes 专利
专利号: US5177031, 申请日期: 1993-01-05, 公开日期: 1993-01-05
作者: BUCHMANN, PETER L.; WEBB, DAVID J.; VETTIGER, PETER
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| - 专利
专利号: JP1989037870B2, 申请日期: 1989-08-09, 公开日期: 1989-08-09
作者: MUSHIGAMI MASAHITO; TANAKA HARUO; FUKADA HAYAMIZU
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| Formation of edge face preventive film of semiconductor laser 专利
专利号: JP1989138785A, 申请日期: 1989-05-31, 公开日期: 1989-05-31
作者: UCHIDA MAMORU
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Method of controlling forbidden band width of semiconductor superlattice 专利
专利号: JP1989059978A, 申请日期: 1989-03-07, 公开日期: 1989-03-07
作者: FURUYA AKIRA; MAKIUCHI MASAO; WADA OSAMU
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1988318190A, 申请日期: 1988-12-27, 公开日期: 1988-12-27
作者: ISOZUMI SHOJI
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| - 专利
专利号: JP1982022426B2, 申请日期: 1982-05-13, 公开日期: 1982-05-13
作者: -
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