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| 化合物半導体薄膜結晶の成長方法 专利
专利号: JP2766645B2, 申请日期: 1998-04-03, 公开日期: 1998-06-18
作者: 杉山 直治; 上條 健; 山田 正理; 大木 芳正
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| Process for the selective growth of GaAs 专利
专利号: US5185289, 申请日期: 1993-02-09, 公开日期: 1993-02-09
作者: MEIER, HEINZ P.; VAN GIESON, EDWARD A.; WALTER, WILLI
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| Refractive index waveguide type distortion quantum well laser 专利
专利号: JP1992280491A, 申请日期: 1992-10-06, 公开日期: 1992-10-06
作者: FUKUNAGA TOSHIAKI; WATANABE KENJI; TAKAMORI TAKESHI
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| Diffraction grating and semiconductor laser 专利
专利号: JP1990201991A, 申请日期: 1990-08-10, 公开日期: 1990-08-10
作者: MIYAZAWA SEIICHI
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| Formation of epitaxial crystal layer and manufacture of stripe type semiconductor laser 专利
专利号: JP1990146787A, 申请日期: 1990-06-05, 公开日期: 1990-06-05
作者: FUJII TOSHIO; SANDOUUADARUSHIYU
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| Formation of epitaxial crystal layer and manufacture of stripe type semiconductor laser 专利
专利号: JP1990146788A, 申请日期: 1990-06-05, 公开日期: 1990-06-05
作者: FUJII TOSHIO; SANDOUUADARUSHIYU
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1988220587A, 申请日期: 1988-09-13, 公开日期: 1988-09-13
作者: IMAMOTO HIROSHI
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1988019893A, 申请日期: 1988-01-27, 公开日期: 1988-01-27
作者: TABUCHI KAZUO
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