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MBE growth of a semiconductor laser diode 专利
专利号: US7867799, 申请日期: 2011-01-11, 公开日期: 2011-01-11
作者:  HOOPER, STEWART;  BOUSQUET, VALERIE;  JOHNSON, KATHERINE L.;  KAUER, MATTHIAS;  HEFFERNAN, JONATHAN
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Hybrid beam deposition system and methods for fabricating metal oxide-ZnO films, p-type ZnO films, and ZnO-based II-VI compound semiconductor devices 专利
专利号: US7824955, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02
作者:  WHITE, HENRY W.;  RYU, YUNGRYEL;  LEE, TAE-SEOK
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MBE growth of an algan layer or AlGaN multilayer structure 专利
专利号: US7504321, 申请日期: 2009-03-17, 公开日期: 2009-03-17
作者:  BOUSQUET, VALERIE;  HOOPER, STEWART EDWARD;  BARNES, JENNIFER MARY;  JOHNSON, KATHERINE L.;  HEFFERNAN, JONATHAN
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Methods of making optical waveguide structures by way of molecular beam epitaxy 专利
专利号: WO2008047240A3, 申请日期: 2008-04-24, 公开日期: 2008-04-24
作者:  KUMARAN, RAVEEN;  PENSON, SHAWN;  ROBIN, IVAN-CHRISTOPHE;  TIEDJE, THOMAS;  WEBSTER, SCOTT
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Nitrogen sources for molecular beam epitaxy 专利
专利号: WO2004022819A1, 申请日期: 2004-03-18, 公开日期: 2004-03-18
作者:  
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Semiconductor laser device and a method for fabricating the same 专利
专利号: US6518159, 申请日期: 2003-02-11, 公开日期: 2003-02-11
作者:  TSUNODA, ATSUO
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Optical semiconductor element 专利
专利号: US6057561, 申请日期: 2000-05-02, 公开日期: 2000-05-02
作者:  KAWASAKI, MASASHI;  KOINUMA, HIDEOMI;  OHTOMO, AKIRA;  SEGAWA, YUSABURO;  YASUDA, TAKASHI
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Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well 专利
专利号: US6046464, 申请日期: 2000-04-04, 公开日期: 2000-04-04
作者:  SCHETZINA, JAN FREDERICK
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MBE System and semiconductor device fabricated using same 专利
专利号: EP0702101A3, 申请日期: 1996-09-18, 公开日期: 1996-09-18
作者:  TAMAMURA, KOSHI, C/O SONY CORP.;  TSUKAMOTO, HIRONORI, C/O SONY CORP.;  IKEDA, MASAO, C/O SONY CORP.
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Very short wavelength semiconductor laser 专利
专利号: US5331656, 申请日期: 1994-07-19, 公开日期: 1994-07-19
作者:  TANAKA, TOSHIAKI
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