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High-Temperature Interband Cascade Lasers 专利
专利号: US20100097690A1, 申请日期: 2010-04-22, 公开日期: 2010-04-22
作者:  VURGAFTMAN, IGOR;  MEYER, JERRY R.
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Method of epitaxial growth of (IV)x(iii-v)(1-x) alloy and method of converting group iii-v semiconductor structure into irregular alloy and hetero structure and semiconductor device constituted by the same 专利
专利号: JP1989001227A, 申请日期: 1989-01-05, 公开日期: 1989-01-05
作者:  ROBAATO DEII BAANAMU
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Stress reduction in AlGaAs-AlGaAsP multilayer structures 专利
专利号: US3958263, 申请日期: 1976-05-18, 公开日期: 1976-05-18
作者:  PANISH, MORTON B.;  ROZGONYI, GEORGE ARTHUR
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Method for fabricating an epitaxial substrate 专利
专利号: US20050003641A1, 公开日期: 2005-01-06
作者:  FAURE, BRUCE
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