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Low-temperature physical vapor-phase depositing device for polycrystalline silicon membrane, has working gas hydrogen inlet and working gas argon inlet that are provided at upper surface of main vacuum chamber. 专利
申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-04-06
作者:  DONG C EIJI T FAN P SU Y SUN Q XU J
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Laser facet pre-coating etch for controlling leakage current 专利
专利号: US7763485, 申请日期: 2010-07-27, 公开日期: 2010-07-27
作者:  DIMITROV, ROMAN;  VERMA, ASHISH;  SUDO, TSURUGI;  LEHMANN, SCOTT
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24
Planar electrode radio frequency capacity coupling argon-oxygen or argon-nitrogen plasma generator, has plasma discharging area formed among metal electrodes in downstream of plenum duct formed by bar-type insulating block. 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010-09-15
作者:  LI S WU Q
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Semiconductor laser manufacturing method 专利
专利号: US7442628, 申请日期: 2008-10-28, 公开日期: 2008-10-28
作者:  YAMANE, KEIJI;  UEDA, TETSUO;  KIDOGUCHI, ISAO;  KAWATA, TOSHIYA
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
Passivation of semiconductor laser facets 专利
专利号: US6618409, 申请日期: 2003-09-09, 公开日期: 2003-09-09
作者:  HU, MARTIN HAI;  KINNEY, LYLE D.;  ONYIRIUKA, EMMANNUEL C.;  OUYANG, MIKE X.;  ZAH, CHUNG-EN
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Ion implanted grating 专利
专利号: AU2002306838A1, 申请日期: 2002-10-08, 公开日期: 2002-10-08
作者:  BULLINGTON, JEFF A.
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Direct injection high efficiency nebulizer for analytical spectrometry 专利
专利号: US6166379, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
作者:  MONTASER, AKBAR;  MCLEAN, JOHN A.;  KACSIR, JEROLD M.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23
化合物半導体の形成方法 专利
专利号: JP2982345B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22
作者:  皆川 重量;  山口 浩;  近藤 正彦;  柳沢 浩徳
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Apparatus and method for fabricating a chirped grating in a surface emitting distributed feedback semiconductor laser diode device 专利
专利号: IL104266A, 申请日期: 1994-11-28, 公开日期: 1994-11-28
作者:  -
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
Apparatus and method for fabricating a curved grating in a surface emitting distributed feedback semiconductor laser diode device 专利
专利号: US5307183, 申请日期: 1994-04-26, 公开日期: 1994-04-26
作者:  MACOMBER, STEVEN H.
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