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LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer 专利
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者:  CHEN, ZHEN
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結晶成長方法 专利
专利号: JP1995019783B2, 申请日期: 1995-03-06, 公开日期: 1995-03-06
作者:  大川 和宏;  三露 常男;  山崎 攻
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低抵抗n—型硫化亜鉛薄膜の製造方法 专利
专利号: JP1994097651B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:  伊藤 直行;  下林 隆;  水本 照之;  岡本 則久
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Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode 专利
专利号: US5341001, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23
作者:  HAYASHI, SHIGEO;  OKAWA, KAZUHIRO;  MITSUYU, TSUNEO
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Strained layer InP/InGaAs quantum well laser 专利
专利号: US5257276, 申请日期: 1993-10-26, 公开日期: 1993-10-26
作者:  FOROUHAR, SIAMAK;  LARSSON, ANDERS G.;  KSENDZOV, ALEXANDER;  LANG, ROBERT J.
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26
Electroluminescent semiconductor device 专利
专利号: US5099301, 申请日期: 1992-03-24, 公开日期: 1992-03-24
作者:  KIKINIS, DAN
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
Zinc sulfide compound semiconductor 专利
专利号: JP1991160735A, 申请日期: 1991-07-10, 公开日期: 1991-07-10
作者:  KATO TOSHIHIRO;  SAKA TAKASHI
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
Zinc sulfide compound semiconductor 专利
专利号: JP1991160736A, 申请日期: 1991-07-10, 公开日期: 1991-07-10
作者:  KATO TOSHIHIRO;  SAKA TAKASHI
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Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1991020096A, 申请日期: 1991-01-29, 公开日期: 1991-01-29
作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1990100381A, 申请日期: 1990-04-12, 公开日期: 1990-04-12
作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI
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