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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Device for multiplying light frequencies 专利 专利号: US20040096160A1, 申请日期: 2004-05-20, 公开日期: 2004-05-20 作者:  HINKOV, ILIYANA;  HINKOV, VLADIMIR 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/30 Technique for measuring intersubband electroluminescence in a quantum cascade laser 专利 专利号: US20020146049A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10 作者:  CAPASSO, FEDERICO;  CHO, ALFRED YI;  COLOMBELLI, RAFFAELE;  GMACHL, CLAIRE F.;  HUTCHINSON, ALBERT LEE 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1989298787A, 申请日期: 1989-12-01, 公开日期: 1989-12-01 作者:  IKETA KAZUHIRO;  YAMAMOTO YOSHIHISA;  MACHIDA SUSUMU 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 External resonator type semiconductor laser device 专利 专利号: JP1989175787A, 申请日期: 1989-07-12, 公开日期: 1989-07-12 作者:  FUJITA TOSHIHIRO;  ODANI JIYUN 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1980039612A, 申请日期: 1980-03-19, 公开日期: 1980-03-19 作者:  KUWABARA HIDEO 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor devices 专利 专利号: GB1073460A, 申请日期: 1967-06-28, 公开日期: 1967-06-28 作者:  - 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 Method to achieve active p-type layer/layers in iii-nitride epitaxial or device structures having buried p-type layers 专利 专利号: WO2017180633A1, 公开日期: 2017-10-19 作者:  ENATSU, YUUKI;  GUPTA, CHIRAG;  KELLER, STACIA;  MISHRA, UMESH K.;  AGARWAL, ANCHAL 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26