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| 一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法 专利
专利号: CN102364704A, 申请日期: 2012-02-29, 公开日期: 2012-02-29
作者: 吴惠桢; 蔡春锋
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| 一种PbTe胶体纳米晶自组装薄膜的制备方法 专利
申请日期: 2010-09-15,
作者: 汪敏强; 林忠海; 薛耀辉; 魏立卓; 郑中华
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| 半導体素子 专利
专利号: JP1997246649A, 申请日期: 1997-09-19, 公开日期: 1997-09-19
作者: 桑原 正和; 石田 明広; 菅 博文; 藤安 洋
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| PbTeの格子整合材料およびその製造方法 专利
专利号: JP1995221397A, 申请日期: 1995-08-18, 公开日期: 1995-08-18
作者: 櫻井 伸弘
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| Low tuning rate PbTe/PbEuSeTe buried quantum well tunable diode lasers and arrays 专利
专利号: US5119388, 申请日期: 1992-06-02, 公开日期: 1992-06-02
作者: FEIT, ZEEV; KOSTYK, DOUGLAS; WOODS, ROBERT J.
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| Method for making low tuning rate single mode PbTe/PbEuSeTe buried heterostructure tunable diode lasers and arrays 专利
专利号: US5028563, 申请日期: 1991-07-02, 公开日期: 1991-07-02
作者: FEIT, ZEEV; KOSTYK, DOUGLAS; WOODS, ROBERT J.
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| Low tuning rate single mode PbTe/PbEuSeTe buried heterostructure tunable diode lasers and arrays 专利
专利号: US4943971, 申请日期: 1990-07-24, 公开日期: 1990-07-24
作者: FIET, ZEEV; KOSTYK, DOUGLAS; WOODS, ROBERT J.
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| Infrared semiconductor laser element 专利
专利号: JP1987296592A, 申请日期: 1987-12-23, 公开日期: 1987-12-23
作者: NISHIJIMA YOSHITO; EBE KOJI
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| Compound semiconductor element 专利
专利号: JP1987291193A, 申请日期: 1987-12-17, 公开日期: 1987-12-17
作者: EBE KOJI; NISHIJIMA YOSHITO; SHINOHARA KOJI
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| Semiconductor light-emitting device 专利
专利号: JP1987144387A, 申请日期: 1987-06-27, 公开日期: 1987-06-27
作者: EBE KOJI; NISHIJIMA YOSHITO; SHINOHARA KOJI
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