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一种氧气底吹铜熔炼过程智能控制方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN105624425A, 申请日期: 2016-06-01,
作者:  王卓;  于海斌;  王斌;  贾洋;  许子昂
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一种氧气底吹铜熔炼过程智能控制方法 专利
专利类型: 发明授权, 专利号: CN105624425B, 申请日期: 2016-06-01, 公开日期: 2017-09-22
作者:  贾洋;  王斌;  于海斌;  王卓;  许子昂
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System and method for measuring physical stimuli using vertical cavity surface emitting lasers with integrated tuning means 专利
专利号: US6836578, 申请日期: 2004-12-28, 公开日期: 2004-12-28
作者:  KOCHERGIN, VLADIMIR;  SWINEHART, PHILIP
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989102982A, 申请日期: 1989-04-20, 公开日期: 1989-04-20
作者:  SUZUKI TORU
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- 专利
专利号: JP1988061793B2, 申请日期: 1988-11-30, 公开日期: 1988-11-30
作者:  -
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988222490A, 申请日期: 1988-09-16, 公开日期: 1988-09-16
作者:  UENO SHINSUKE
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Integrated type semiconductor laser device 专利
专利号: JP1986078190A, 申请日期: 1986-04-21, 公开日期: 1986-04-21
作者:  KITAMURA MITSUHIRO
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Semiconductor laser element and manufacture thereof 专利
专利号: JP1986069189A, 申请日期: 1986-04-09, 公开日期: 1986-04-09
作者:  SUYAMA NAOHIRO;  HAYAKAWA TOSHIRO;  TAKAHASHI KOUSEI;  YAMAMOTO SABURO
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Semiconductor laser array 专利
专利号: JP1985182181A, 申请日期: 1985-09-17, 公开日期: 1985-09-17
作者:  YANO MORICHIKA;  YAMAMOTO SABUROU;  MATSUI KANEKI;  TANETANI MOTOTAKA
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Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1982172788A, 申请日期: 1982-10-23, 公开日期: 1982-10-23
作者:  YAMAMOTO SABUROU;  MURATA KAZUHISA;  HAYASHI HIROSHI;  TAKENAKA TAKUO
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