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一种单一相MG2SI半导体薄膜的制备工艺 专利
申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013
作者:  谢泉;  肖清泉;  余宏;  陈茜;  张晋敏
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一种锶变质含硅高强镁合金及其制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2010-10-27, 公开日期: 2010-10-27
杨院生, 周吉学, 王杰, 王晶 and 童文辉
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环境友好半导体材料MG2SI薄膜的磁控溅射制备工艺 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010
作者:  谢泉;  肖清泉;  张晋敏
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电子束蒸发法制备环境友好半导体材料MG2SI薄膜工艺 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010
作者:  谢泉;  肖清泉;  赵珂杰;  张晋敏;  陈茜
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环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010
作者:  谢泉;  肖清泉;  张晋敏
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电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg2Si薄膜工艺 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010
作者:  谢泉;  肖清泉;  赵珂杰;  张晋敏;  陈茜
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Mg2Si强化镁合金的制备方法 专利
申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2010-07-21
作者:  徐春杰;  孟令楠;  郭学锋;  张忠明
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?一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法 专利
申请日期: 0, 公开日期: 2016
作者:  谢泉;  廖杨芳;  肖清泉;  梁枫;  王善兰
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