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| 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
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| 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
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| 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法 专利
专利号: CN109378369A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
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| Ultra long lifetime gallium arsenide 专利
专利号: US9704706, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2017-07-11
作者: SCHUNEMANN, PETER G.; ZAWILSKI, KEVIN T.
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| 一种利用紫外光致亲水性判断HVPE外延生长蓝宝石衬底GaN掺杂类型的方法 专利
申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2016-08-24
作者: 刘铎; 贾冉; 赵东方; 高乃坤; 颜为山
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| 一种HVPE反应产生的氯化铵气体的冷凝过滤器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2016-03-02
姜辛、刘宝丹、刘鲁生、张兴来
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| LED的群集工具 专利
专利号: CN102414844B, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2015-04-08
作者: S·尼杰哈瓦; B·H·伯罗斯; 石川哲也; O·克利里欧科; A·瓦苏德范
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| 一种生长纳米柱阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102583236A, 申请日期: 2013-12-18, 公开日期: 2014-01-20
作者: 黄增立 ; 王建峰; 徐科; 王志高
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| Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 专利
专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
作者: KRYLIOUK, OLGA; MELNIK, YURIY; KOJIRI, HIDEHIRO; ISHIKAWA, TETSUYA
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| HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101514484, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2009-08-26
于广辉; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍
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