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Photonic crystal device 专利
专利号: US8462827, 申请日期: 2013-06-11, 公开日期: 2013-06-11
作者:  MATSUO, SHINJI;  KAKITSUKA, TAKAAKI;  NOTOMI, MASAYA;  SHINYA, AKIHIKO
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An optical communications device having electrical bond pads that are protected by a protective coating, and a method for applying the protective coating 专利
专利号: GB2493418A, 申请日期: 2013-02-06, 公开日期: 2013-02-06
作者:  GOH HAN PENG;  PHANG KAH YUAN;  DE MASA EDUARDO ALICAYA
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Photodiode array, method for manufacturing photodiode array, epitaxial wafer, and method for manufacturing epitaxial wafer 专利
专利号: US8309380, 申请日期: 2012-11-13, 公开日期: 2012-11-13
作者:  AKITA, KATSUSHI;  ISHIZUKA, TAKASHI;  FUJII, KEI;  NAGAI, YOUICHI;  NAKAHATA, HIDEAKI
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Semiconductor optical device and a method of fabricating the same 专利
专利号: US7701993, 申请日期: 2010-04-20, 公开日期: 2010-04-20
作者:  IGA, RYUZO;  KONDO, YASUHIRO
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Substrate for epitaxial growth and epitaxial growth process 专利
专利号: WO2008123242A1, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-10-16
作者:  SUZUKI, KENJI;  SATO, TSUTOMU;  HIRANO, RYUICHI
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Semiconductor laser diode and integrated semiconductor optical waveguide device 专利
专利号: US20070195847A1, 申请日期: 2007-08-23, 公开日期: 2007-08-23
作者:  FUKAMACHI, TOSHIHIKO;  MAKINO, SHIGEKI;  TANIGUCHI, TAKAFUMI;  AOKI, MASAHIRO
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Semiconductor laser device having lower threshold current 专利
专利号: US6912236, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28
作者:  SHIMIZU, HITOSHI;  KUMADA, KOJI
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Method of forming nitride-based semiconductor layer, and method of manufacturing nitride-based semiconductor device 专利
专利号: US6821807, 申请日期: 2004-11-23, 公开日期: 2004-11-23
作者:  KANO, TAKASHI;  OHBO, HIROKI;  HAYASHI, NOBUHIKO
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Quantum dot lasers 专利
专利号: US6816525, 申请日期: 2004-11-09, 公开日期: 2004-11-09
作者:  STINTZ, ANDREAS;  VARANGIS, PETROS M.;  MALLOY, KEVIN J.;  LESTER, LUKE;  NEWELL, TIMOTHY C.
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MOCVD-grown InGaAsN using efficient and novel precursor, tertibutylhydrazine, for optoelectronic and electronic device applications 专利
专利号: US20020102847A1, 申请日期: 2002-08-01, 公开日期: 2002-08-01
作者:  SHARPS, PAUL R.;  HOU, HONG QI;  LI, NEIN-YI;  KANJOLIA, RAVI
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