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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio 专利 专利号: US20050243881A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03 作者:  KWON, HOKI;  WANG, TZU-YU;  RYOU, JAE-HYUN;  KIM, JIN K.;  PARK, GYOUNGWON 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 Method and apparatus for producing group-III nitrides 专利 专利号: US20010006845A1, 申请日期: 2001-07-05, 公开日期: 2001-07-05 作者:  KRYLIOUK, OLGA 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30 Semiconductor structures utilizing semiconductor support means selectively pretreated with migratory defects 专利 专利号: US4871690, 申请日期: 1989-10-03, 公开日期: 1989-10-03 作者:  HOLONYAK, JR., NICK;  BURNHAM, ROBERT D. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Maskless lateral epitaxial overgrowth of aluminum nitride and high aluminum composition aluminum gallium nitride 专利 专利号: WO2005041269A3, 公开日期: 2006-03-30 作者:  KATONA THOMAS M;  KELLER STACIA;  ALEJANDRO PABLO CANTU 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26