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| 基于半导体材料NiO的X型腔脉冲激光器 专利
专利号: CN209374879U, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
作者: 常建华; 戴腾飞; 刘海洋; 戴瑞
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| 利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法 专利
专利号: CN103986061A, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2014-08-13
作者: 于欣; 马欲飞; 李旭东; 闫仁鹏; 樊荣伟
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| 兆瓦级峰值功率固体激光器 专利
专利号: CN103682968A, 申请日期: 2014-03-26, 公开日期: 2014-03-26
作者: 金锋; 陈仁; 马利国
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| 一种提高Nd:YAG被动调Q激光器输出特性的方法及装置 专利
专利号: CN103414101A, 申请日期: 2013-11-27, 公开日期: 2013-11-27
作者: 李强; 孙哲 ; 陈欣; 雷訇; 姜梦华
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| 基于键合晶体的被动调Q激光器 专利
专利号: CN202695968U, 申请日期: 2013-01-23, 公开日期: 2013-01-23
作者: 朱思祁; 陈振强; 王苏娥; 江炜; 陈在俊
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| 一种稳定脉冲能量的全固态角动量可调谐激光器 专利
专利号: CN102684061A, 申请日期: 2012-09-19, 公开日期: 2012-09-19
作者: 于浩海; 赵永光; 王正平; 张怀金; 许心光
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| 微片固体激光器 专利
专利号: CN102299464A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
作者: 周群立; 侯霞; 刘源
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| 半导体泵浦固体激光器被动调Q试验装置 专利
专利号: CN201766283U, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16
作者: 李凯; 陆鼎璇; 王志会; 田星
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