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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 专利 专利号: CN104409319A, 申请日期: 2015-03-11, 公开日期: 2015-03-11 作者:  南琦;  王怀兵;  王辉;  吴岳;  傅华 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101814429A, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2010-08-25 顾溢; 张永刚 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06