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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
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| 一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法 专利
专利号: CN109462144A, 申请日期: 2019-03-12, 公开日期: 2019-03-12
作者: 李俊泽; 张建 ; 邓泽佳; 杨浩军; 李沫
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| 纳米压印法实现DFB激光器脊波导上绝缘层开窗工艺 专利
专利号: CN108963753A, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2018-12-07
作者: 曲迪; 白国人; 陈墨; 靳春艳; 宋学颍
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| 内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法 专利
专利号: CN108110614A, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2018-06-01
作者: 李俊泽; 李沫; 张建; 张健
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| 一种基于纳米压印制备封闭多孔压电驻极体俘能器的方法 专利
申请日期: 2018-05-22,
作者: 邵金友; 陈小亮; 李祥明; 田洪淼; 王超
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| 基于纳米压印制备表面等离子体垂直结构发光二极管的方法 专利
申请日期: 2018-01-19,
作者: 云峰; 郭茂峰
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| 全硅分布式反馈激光器 专利
专利号: CN107332106A, 申请日期: 2017-11-07, 公开日期: 2017-11-07
作者: 王东辰; 张驰; 陆明; 吴翔; 张树宇
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