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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法 专利 专利号: CN106300014A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04 作者:  于春满;  朱海军;  张兴 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 专利 专利号: CN106099643A, 申请日期: 2016-11-09, 公开日期: 2016-11-09 作者:  于春满;  朱海军;  张兴 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利 专利号: CN100382347C, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2008-04-16 作者:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26