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一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-06-30, 公开日期: 2013-12-16
曹鸿涛; 梁凌燕; 刘志敏
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使用IR和/或NIR辐射干燥有机半导体层、导体层或滤色器层的方法 专利
专利号: CN1582507A, 申请日期: 2005-02-16, 公开日期: 2005-02-16
作者:  于尔根·施泰格尔;  苏珊·霍伊恩;  霍斯特·韦斯特韦伯;  曼弗雷德·威纳;  安德烈亚斯·马托伊斯
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高分子半导体溶液 专利
专利号: CN1547780A, 申请日期: 2004-11-17, 公开日期: 2004-11-17
作者:  赫伯特・施普赖策;  海因里希・贝克;  威利・克罗伊德尔;  西比勒・贝格;  安德烈亚斯・索尔
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