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一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法 专利
专利号: CN105226503A, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06
作者:  王庶民
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半导体激光测试装置 专利
专利号: CN204128985U, 申请日期: 2015-01-28, 公开日期: 2015-01-28
作者:  胡海;  夏虹;  赵楚中;  刘文斌;  李成鹏
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半导体激光测试装置及测试方法 专利
专利号: CN104142351A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12
作者:  胡海;  夏虹;  赵楚中;  刘文斌;  李成鹏
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电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、Ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底 专利
专利号: CN101689523A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
作者:  斋藤雄
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用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
丛光伟; 彭文琴; 吴洁君; 魏宏源; 刘祥林; 王占国
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一种光致发光材料多磷酸钾铈晶体 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-11-12
朱 静,程文旦,张 浩,龚亚京,吴东升,童华南,赵 丹.
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一种光致发光晶体材料多磷酸钠铈 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-11-12
朱 静,程文旦,龚亚京,张 浩,吴东升,童华南,赵 丹.
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深紫外激光光致发光光谱仪 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102213617A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
金鹏; 王占国
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