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| 一种基于元胞自动机模型的亚稳态蚀坑交互作用模拟方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2016-09-28, 公开日期: 2016-09-28
王海涛，韩恩厚
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| 一种基于真空紫外灯与放电电离的复合电离源 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201310687547.9, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2015-06-17
作者: 李海洋; 赵无垛; 王卫国; 窦健; 谢园园
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| 一种加载条件下不锈钢亚稳态点蚀模拟的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2015-07-22, 公开日期: 2015-07-22
王海涛，韩恩厚
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| 大气压诱导空气介质阻挡放电低温等离子体发生装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN203015262, 申请日期: 2013-06-19, 公开日期: 2013-06-19
汤洁; 段忆翔; 赵卫; 王屹山; 姜炜曼; 李世博
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| 大气压诱导空气介质阻挡放电低温等离子体发生装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102946685, 申请日期: 2013-02-27, 公开日期: 2014-05-20
汤洁; 段忆翔; 赵卫; 王屹山; 姜炜曼; 李世博
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| 一种互穿网络双连续孔结构氟碳聚合物微孔膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2011-08-24, 公开日期: 2013-12-16
刘富; 陶咪咪; 薛立新
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| 一种诊断空气等离子体中N2长寿命电子亚稳态的方法 专利
申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2012-06-20
作者: 丁洪斌; 冯春雷; 高亮; 李聪
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| 一种亚稳态面心立方相块体钴金属及其制备方法 专利
申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2013-06-19
作者: 孟庆坤; 赵新青
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| 采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法 专利
专利号: CN101645577A, 申请日期: 2010-02-10, 公开日期: 2010-02-10
作者: 李占国; 刘国军; 尤明慧; 李林; 李梅
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| 亚稳态辅助量子点共振隧穿二极管及工作条件 专利
专利号: 200710173511.3, 申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1、陆卫; 2、李天信; 3、陈平平; 4、张波; 5、甄红楼
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