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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种主动驱动变形的薄膜式柔性压力传感器 专利 专利号: CN202210725867.8, 申请日期: 2023-04-14, 公开日期: 2023-04-14 作者:  苏业旺;  蓝昱群;  李爽 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2024/01/23 具有偏离有源区的错配位错的GaN基激光二极管 专利 专利号: CN103026561B, 申请日期: 2015-07-08, 公开日期: 2015-07-08 作者:  R·巴特;  D·兹佐夫 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 一种制备悬空应变材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101958238A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101958270A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06 一种绝缘体上应变硅制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101916741A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15 张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101866874A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20 张苗; 薛忠营; 张波; 魏星 收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2012/01/06 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101866875A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20 张苗; 薛忠营; 张波; 魏星 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 柔性电子基板上薄膜材料可靠性原位评价系统及方法 专利 专利类型: 发明专利, 申请日期: 2010-06-09, 公开日期: 2010-06-09 张广平, 朱晓飞 and 张滨 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/06/06