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| 光モジュール 专利
专利号: JP2019096722A, 申请日期: 2019-06-20, 公开日期: 2019-06-20
作者: 松村 貴由; 中村 直章; 海沼 則夫; 久保田 崇; 福園 健治
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| Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same 专利
专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
作者: KOIDE, NORIKATSU; KATO, HISAKI
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| Gallium nitride-on-silicon interface using multiple aluminum compound buffer layers 专利
专利号: US7598108, 申请日期: 2009-10-06, 公开日期: 2009-10-06
作者: LI, TINGKAI; TWEET, DOUGLAS J.; MAA, JER-SHEN; HSU, SHENG TENG
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| 発光モジュール、その製造方法、光送受信モジュール及び光通信システム 专利
专利号: JP2006126754A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18
作者: 上西 盛聖; 安達 一彦; 廣居 正樹; 森 孝二; 佐藤 俊一
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| III族窒化物半導体薄膜の製造方法 专利
专利号: JP3707211B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者: 大井 明彦; 鈴木 健; 松井 俊之; 松山 秀昭; 上條 洋
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| 半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
作者: 横川 俊哉; 吉井 重雄
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| 面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3467593B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17
作者: 森 克己; 浅賀 達也; 岩野 英明
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| 面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3395194B2, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-04-07
作者: 森 克己; 浅賀 達也; 岩野 英明
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| 面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17
作者: 森 克己; 浅賀 達也; 岩野 英明
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| 光半導体モジュール 专利
专利号: JP3090335B2, 申请日期: 2000-07-21, 公开日期: 2000-09-18
作者:
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