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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 201310251573.7, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2015 - 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/05/07 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 专利 专利号: 200410053175.5, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2011-09-07 作者:  1何力2陈路3巫艳4于梅芳5王元樟6吴俊7乔怡敏 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2011/09/07