QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 付生辉; 宋国锋; 陈良惠 收藏  |  浏览/下载：323/71  |  提交时间：2009/06/11 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 收藏  |  浏览/下载：110/11  |  提交时间：2009/06/11 一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091398.3, 公开日期: 2011-08-31 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/08/31 一种制备硅纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240932.8, 公开日期: 2011-08-31 作者:  张仁平 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/08/31 纳流体晶体管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237096.2, 公开日期: 2011-08-31 张加勇; 王晓峰; 王晓东; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2011/08/31 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31 作者:  李艳 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2011/08/31 集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102299483A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 郑婉华; 陈微; 张建心; 渠红伟; 付非亚 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/09/09 制作纳米管道的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910087127.0, 公开日期: 2011-08-31 张加勇; 王晓峰; 杨富华; 王晓东 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2011/08/31 Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/08/30 分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 张奇; 赵懿昊; 董振; 刘素平; 马骁宇 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/09/22