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METHOD and arrangment for reducing contact resistance of two-dimensional cyrstal material 专利
专利号: US10141408, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2014-12-31
作者:  Jia KP(贾昆鹏);  Su YJ(粟雅娟);  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超)
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一种金属硅化物的形成方法 专利
专利号: US10096691, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2016-09-15
作者:  张青竹;  赵利川;  杨雄坤;  殷华湘;  闫江
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一种用于PoP封装结构的散热方法 专利
专利号: CN201320681795.8, 申请日期: 2014-06-18,
作者:  侯峰泽;  刘丰满;  李君
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带有存储功能的MOS器件及其形成方法 专利
专利号: US8685851, 申请日期: 2014-04-01, 公开日期: 2012-06-14
作者:  王文武;  赵超
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一种用于PoP封装的散热结构的制作方法 专利
申请日期: 2013-10-31,
作者:  刘丰满;  侯峰泽
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一种用于PoP封装的散热结构 专利
申请日期: 2013-10-31,
作者:  侯峰泽;  李君;  刘丰满
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