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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种InP HBT器件侧墙的制备方法 专利 专利号: CN102244003A, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16 作者:  金智;  王显泰;  郭建楠;  苏永波 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/11/20 npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构 专利 专利号: CN200810103253.6, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2009-10-07 作者:  金智;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法 专利 专利号: CN101471260, 申请日期: 2007-12-26, 公开日期: 2009-07-01, 2010-11-26 作者:  黎明;  徐静波;  付晓君 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法 专利 专利号: CN200810104227.5, 公开日期: 2009-10-21 作者:  刘新宇;  金智 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/26