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| 基于湿法预释放结构的MEMS红外光源 专利
专利号: CN201621033986.3, 申请日期: 2017-03-15,
作者: 王玮冰 ; 陈大鹏; 孙西龙; 刘卫兵; 明安杰
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| 单片集成红外焦平面探测器 专利
专利号: CN201310024184.0, 申请日期: 2015-09-16, 公开日期: 2013-05-01
作者: 殷华湘; 王玉光; 陈大鹏
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| 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 专利
专利号: CN201110236597.6, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2013-03-06
作者: 欧阳思华; 魏珂; 刘新宇; 郑英奎; 彭铭曾
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| 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 专利
专利号: CN200810240275.7, 申请日期: 2011-04-20, 公开日期: 2009-05-27
作者: 陈大鹏; 何伟; 明安杰; 薛惠琼; 焦斌斌
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| 基于多晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 专利
专利号: CN200810239363.5, 公开日期: 2009-05-20
作者: 明安杰; 何伟; 薛惠琼; 焦斌斌; 欧毅
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| 一种测量GaN基器件热可靠性的方法 专利
专利号: CN201110236600.4, 公开日期: 2013-03-06
作者: 李艳奎; 刘新宇; 赵妙; 郑英奎; 陈晓娟
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