|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210246436.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-01-29
作者: 秦长亮; 洪培真 ; 殷华湘
  收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/03/14 |
| 多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法 专利
专利号: CN201110412636.3, 申请日期: 2013-08-14, 公开日期: 2012-05-09
作者: 申华军; 刘新宇; 杨成樾; 刘焕明; 周静涛
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2012/11/20 |
| 一种IGBT短路集电极结构的制备方法 专利
申请日期: 2013-01-01,
作者: 赵佳; 胡爱斌; 朱阳军; 卢烁今; 吴振兴
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| 半导体器件制造方法 专利
申请日期: 2012-07-16,
作者: 秦长亮; 洪培真; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/13 |
| 氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法 专利
申请日期: 2012-07-03,
作者: 孟令款
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2018/04/03 |
| 一种用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法 专利
申请日期: 2011-12-12, 公开日期: 2012-11-20
作者: 夏洋; 李超波; 汪明刚
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2012/11/20 |
| 一种控制注入结深度的方法 专利
申请日期: 2011-12-12, 公开日期: 2012-11-20
作者: 夏洋; 汪明刚; 李超波
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2012/11/20 |
| 一种应变半导体沟道的形成方法 专利
申请日期: 2011-06-23,
作者: 尹海洲; 骆志炯; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/09/18 |
