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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The optical property of tensile-strained n-type doped Ge 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 3, 页码: 36202 Huang, SH; Li, C; Chen, CZ; Yuan-Yu, Z; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/04/17 strain  n-type doped germanium  internal quantum efficiency  optical gain   Enhanced photoluminescence of strained Ge with a delta-doping SiGe layer on silicon and silicon-on-insulator 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251102-251102 Li,C; Chen,YH; Zhou,ZW; Lai,HK; Chen,SY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 ROOM-TEMPERATURE  GERMANIUM  GAIN