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科研机构
上海微系统与信息技术... [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2007 [1]
2005 [1]
2004 [1]
1996 [1]
学科主题
Physics, M... [4]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Feng, GM
;
Liu, B
;
Wu, LC
;
Feng, SL
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
PHASE
CRYSTALLIZATION
ALLOYS
DEVICE
Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2929-2932
Xu, C
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
ION-BEAM METHOD
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
CELL-ELEMENT
RESISTANCE
IMPLANTATION
TRANSITION
ALLOYS
MEDIA
Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSb long wavelength multi quantum well lasers
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 218-225
Xu, GY
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
TEMPERATURE CW-OPERATION
QW DIODE-LASERS
MU-M
BAND-STRUCTURE
OPTICAL GAIN
ALGAASSB
GASB
ALLOYS
Study on the relation between magnetic moment and charge transfer of metallic glasses by LCAO-Xo method
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 196-198
Liu, HL
;
Chen, NY
;
Ni, M
;
He, LM
;
Jin, QY
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提交时间:2012/03/25
ALLOYS
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