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科研机构
新疆理化技术研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2005 [3]
2004 [1]
2003 [1]
学科主题
Engineerin... [8]
Physics [1]
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PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:
李明
;
余学峰
;
卢健
;
高博
;
崔江维
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/11/29
PDSOI
SRAM
总剂量效应
功耗电流
退火效应
12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应
期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674
作者:
吴雪
;
陆妩
;
王义元
;
胥佳灵
;
张乐情
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/11/29
BiCMOS
模数转换器
剂量率
60Coγ辐照
电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应
期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 124-128
作者:
李鹏伟
;
郭旗
;
任迪远
;
于跃
;
王义元
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/11/29
电荷耦合器件
位移损伤
γ射线
电子辐照
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学峰
;
艾尔肯
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/11/29
运算放大器
60Coγ辐照
退火
剂量率效应
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性
期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学峰
;
艾尔肯
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/11/29
JFET输入双极运算放大器
60Coγ辐照
剂量率效应
退火
MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978
作者:
余学峰
;
任迪远
;
艾尔肯
;
张国强
;
陆妩
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/11/29
热载子注入
总剂量辐照
相关性
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784
作者:
任迪远
;
陆妩
;
余学锋
;
郭旗
;
张国强
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/11/29
注FCMOS运算放大器
电离辐照
跨导
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