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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：红外基础研究     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 HgMnTe窄禁带磁性半导体和GaInP多量子阱的磁光电性质研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2011 作者:  朱亮清 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/09/11 Hgmnte磁性半导体  Fuorier变换红外光谱  Kp微扰理论  束缚磁极化子  Gainp应变量子阱   InGaN基量子阱发光二极管光电性能的研究与器件设计优化 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  李为军 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/08/22 Ingan/gan多量子阱发光二极管  电致发光谱  态填充效应  应力致发光  纳米压印和su8技术  量子阱模型  量子点模型  内建极化场  Alingan  台阶型量子阱  Staggered 型量子阱  内量子效率  数值模拟   多尺度的量子器件光电性质研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  江俊 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/07/11 量子器件   红外光电子材料的电子结构和掺杂的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  段鹤 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/08/14 红外功能材料  碲镉汞  第一性原理  碲锌镉衬底  砷掺杂   Ge基和GaAs基中自旋相关性质的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  周孝好 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2012/07/11 自旋极化  Ge  Gaas  密度泛函理论  铁磁性   低维光电子材料的建模和模拟研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  周旭昌 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/07/11 低维材料  P型δ掺杂材料  Qwip-led  Thz多波段量子阱芯片  耦合量子点   红外光电子材料碲镉汞的功能缺陷掺杂的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  孙立忠 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/07/11 光电子材料  碲镉汞  第一性原理  Lapw方法  Ppw方法  杂质  空位缺陷