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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET 期刊论文 acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353 Zheng ZS; Liu ZL; Zhang GQ; Li N; Fan K; Zhang EX; Yi WB; Chen M; Wang X 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/17 SOI