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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of CHF3 Plasma Treatment on AlGaN/GaN HEMTs Identified by Low-Temperature Measurement 期刊论文 chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 048501 Du, YD; Han, WH; Yan, W; Yang, FH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/04/02 T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by femtosecond laser lithography without ablation 期刊论文 applied physics a: materials science and processing, 2011, 页码: 1-5 Du, Y.D.; Cao, H.Z.; Yan, W.; Han, W.H.; Liu, Y.; Dong, X.Z.; Zhang, Y.B.; Jin, F.; Zhao, Z.S.; Yang, F.H.; Duan, X.M. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/06/14 Ablation  Drain current  Fabrication  Gallium nitride  High electron mobility transistors  Photoresists  Ultrashort pulses   X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1865-1870 作者:  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23