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| Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者: Li MF
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| First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者: Li JB
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| The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content 期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH; Niu ZC; Zhang SY; Ni HQ; He ZH; Sun Z; Han Q; Wu RH
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| Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者: Wu DH; Niu ZC; Jiang DS; Xu YQ
收藏 | 浏览/下载：81/0 | 提交时间：2010/04/11
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| Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires 期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145
Gong Z; Niu ZC; Fang ZD
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| Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ
收藏 | 浏览/下载：52/0 | 提交时间：2010/04/11
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| Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling 期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553
Munoz M; Huang YS; Pollak FH; Yang H
收藏 | 浏览/下载：41/0 | 提交时间：2010/08/12
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| Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者: Tan PH
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| Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157
He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC
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| Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976
作者: Han PD
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