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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [10]
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2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
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学科主题
半导体物理 [10]
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学科主题:半导体物理
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Bias-selectable mid-/long-wave dual band infrared focal plane array based on Type-II InAs/GaSb superlattice
期刊论文
Infrared Physics & Technology, 2017, 卷号: 86, 页码: 159–164
作者:
Zhi Jiang
;
Xi Han
;
Yao-Yao Sun
;
Chun-Yan Guo
;
Yue-Xi Lv
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2018/06/15
Quantum efficiency optimization by maximizing wave function overlap in type-II superlattice photodetectors
期刊论文
Nanoscale, 2017, 卷号: 9, 页码: 11833–11840
作者:
Yunhao Zhao
;
Lu Liu
;
Renchao Che
;
Han Bi
;
Xi Han
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/06/15
320 _ 256 Short-/Mid-Wavelength dual-color infrared focal plane arrays based on Type-II InAs/GaSb superlattice
期刊论文
Infrared Physics & Technology, 2017, 卷号: 82, 页码: 140–143
作者:
Sun Yaoyao
;
Han Xi
;
Hao Hongyue
;
Jiang Dongwei
;
Guo Chunyan
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2018/06/15
Small-pixel long wavelength infrared focal plane arrays based on InAs/GaSb Type-II superlattice
期刊论文
Infrared Physics & Technology, 2017, 卷号: 89, 页码: 35–40
作者:
Xi Han
;
Dongwei Jiang
;
Guowei Wang
;
Hongyue Hao
;
Yaoyao Sun
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/06/15
320 _ 256 high operating temperature mid-infrared focal plane arrays based on type-II InAs/GaSb superlattice
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 111, 页码: 783-788
作者:
Yaoyao Sun
;
GuoweiWang
;
Xi Han
;
Wei Xiang
;
Dongwei Jiang
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2018/06/15
Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: art. no. 077305
Wang GW (Wang Guo-Wei)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Guo J (Guo Jie)
;
Tang B (Tang Bao)
;
Ren ZW (Ren Zheng-Wei)
;
He ZH (He Zhen-Hong)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/17
IR DETECTION MODULES
INAS
Comparison of short period InAs/GaSb superlattices on GaSb and GaAs substrates
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:211/35
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提交时间:2010/03/08
InAs/GaSb
superlattice
substrates
infrared detector
Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110
Gai, YQ
;
Yao, B
;
Wei, ZP
;
Li, YF
;
Lu, YM
;
Shen, DZ
;
Zhang, JY
;
Zhao, DX
;
Fan, XW
;
Li, JB
;
Xia, JB
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE ZNO
II-VI
BAND-GAP
SEMICONDUCTORS
FILMS
MGXZN1-XO
EPITAXY
Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (InyGa1-yAs/GaAs1-x Sb-x)/ GaAs bilayer quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:109/23
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提交时间:2010/03/17
bilayer quantum well
Electronic structure of diluted magnetic semiconductor superlattices: In-plane magnetic field effect
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 19, 页码: art.no.195204
Wu HB
;
Chang K
;
Xia JB
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
BAND OFFSETS
TRANSITION
EXCITONS
BEHAVIOR
CD1-XMNXTE
EXCHANGE
SYSTEM
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