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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1 Zhong, L; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/08 tensile strain  GaAsP/GaInP  photoluminescence  quantum well  laser diodes  LP-MOCVD   Novel coupled multi-active region high power semiconductor lasers cascaded via tunnel junction 期刊论文 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2374-2377 Lian P; Yin T; Gao G; Zou DS; Chen CH; Li JJ; Shen GD; Ma XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductor lasers  high power  MOCVD  OPERATION   Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs 会议论文 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Yang GW; Xu ZT; Xu JY; Ma XY; Zhang JM; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/10/29 strained quantum well  semiconductor lasers