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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：98/6  |  提交时间：2010/08/12 ORIENTED GAAS  INAS ISLANDS  HIGH-INDEX  SURFACES  TEMPERATURE  TOPOGRAPHY  STRAIN  LASER   New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots 会议论文 25th international symposium on compound semiconductors, nara, japan, oct 12-16, 1998 Zhu HJ; Wang H; Wang ZM; Cui LQ; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THRESHOLD  GROWTH  LASER   New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots 期刊论文 compound semiconductors 1998, 1999, 期号: 162, 页码: 433-437 Zhu HJ; Wang H; Wang ZM; Cui LQ; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THRESHOLD  GROWTH  LASER