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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Measuring spin diffusion of electrons in bulk n-GaAs using circularly dichromatic absorption difference spectroscopy of spin gratings 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 20, 页码: art. no. 202109 Yu HL; Zhang XM; Wang PF; Ni HQ; Niu ZC; Lai TS 收藏  |  浏览/下载：53/4  |  提交时间：2010/03/08 circular dichroism  diffraction gratings  diffusion  gallium arsenide  homodyne detection  III-V semiconductors  spin dynamics  spin polarised transport   The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：132/30  |  提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD  P-TYPE ZNO  POINT-DEFECTS  II-VI  NITROGEN  SEMICONDUCTORS  1ST-PRINCIPLES  COMPENSATION  ENHANCEMENT   Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 19, 页码: art. no. 192107 作者:  Qian X 收藏  |  浏览/下载：82/7  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier lifetime  gallium arsenide  high-frequency effects  III-V semiconductors  optical Kerr effect  semiconductor heterojunctions  spin dynamics  two-dimensional electron gas   Origin of the blueshift in the infrared absorbance of intersubband transitions in AlxGa1-x/GaN multiple quantum wells 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 575-581 Li JM; Han X; Wu JJ; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/03/17 quantum wells   Anomaly of the current self-oscillation frequency in the sequential tunneling of a doped GaAs/AlAs superlattice 期刊论文 physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 11, 页码: 7261-7264 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 GAAS-ALAS SUPERLATTICES  ELECTRIC-FIELD DOMAINS  MULTIPLE QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  ROOM-TEMPERATURE  DIODES  MODEL  INSTABILITIES  TRANSPORT   Negative differential resistance and the transition to current self-oscillation in GaAs/AlAs superlattices 期刊论文 solid state communications, 1999, 卷号: 112, 期号: 7, 页码: 371-374 Wang JN; Sun BQ; Wang XR; Wang HL 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductors  tunneling  ELECTRIC-FIELD DOMAINS  DOPED SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  MODEL  INSTABILITIES  DIODES  GAAS-ALAS SUPERLATTICES   Photoluminescence study of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs one-side-modulation-doped asymmetric step quantum wells 期刊论文 solid state communications, 1998, 卷号: 106, 期号: 12, 页码: 811-814 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  semiconductors  electronic band structure  luminescence  TRANSISTOR STRUCTURES  OPTICAL-TRANSITIONS  MASS  RENORMALIZATION  HETEROJUNCTIONS  LUMINESCENCE  DENSITY  FERMI-EDGE SINGULARITY