×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [14]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [2]
2009 [1]
2008 [3]
2006 [1]
2002 [1]
2001 [1]
更多...
学科主题
半导体物理 [15]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Low temperature annealing effects on the structure and optical properties of ZnO films grown by pulsed laser deposition
期刊论文
vacuum, 2010, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1280-1286
Zhu BL (Zhu B. L.)
;
Zhao XZ (Zhao X. Z.)
;
Su FH (Su F. H.)
;
Li GH (Li G. H.)
;
Wu XG (Wu X. G.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Wu R (Wu R.)
收藏
  |  
浏览/下载:92/2
  |  
提交时间:2010/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition (PLD)
Annealing treatment
Photoluminescence (PL)
OXIDE THIN-FILMS
SUBSTRATE-TEMPERATURE
OXYGEN-PRESSURE
ELECTRICAL-PROPERTIES
PLD TECHNIQUE
AL FILMS
EMISSION
Current-driven domain wall motion across a wide temperature range in a (Ga,Mn)(As,P) device
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262102
Wang KY
;
Edmonds KW
;
Irvine AC
;
Tatara G
;
De Ranieri E
;
Wunderlich J
;
Olejnik K
;
Rushforth AW
;
Campion RP
;
Williams DA
;
Foxon CT
;
Gallagher BL
收藏
  |  
浏览/下载:46/2
  |  
提交时间:2011/07/05
MN)AS
(GA
The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104
Zhu, JH (Zhu, J. H.)
;
Wang, LJ (Wang, L. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Yang, H (Yang, H.)
收藏
  |  
浏览/下载:143/26
  |  
提交时间:2010/03/08
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
A lattice dynamical treatment for the total potential energy of single-walled carbon nanotubes and its applications: relaxed equilibrium structure, elastic properties, and vibrational modes of ultra-narrow tubes
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: art. no. 045228
Jiang, JW
;
Tang, H
;
Wang, BS
;
Su, ZB
收藏
  |  
浏览/下载:114/3
  |  
提交时间:2010/03/08
NANOSCALE GRAPHITIC TUBULES
YOUNGS MODULUS
MECHANICAL-PROPERTIES
CHANNELS
RAMAN
CRYSTALS
STRAIN
Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 3479-3483
Lin GJ
;
Lai HK
;
Li C
;
Chen SY
;
Yu JZ
收藏
  |  
浏览/下载:54/0
  |  
提交时间:2010/03/08
Si/SiGe
Elasticity, band-gap bowing, and polarization of AlxGa1-xN alloys
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: art. no. 023705
Duan, YF
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
收藏
  |  
浏览/下载:98/17
  |  
提交时间:2010/03/08
STRAINED WURTZITE SEMICONDUCTORS
FUNCTIONAL PERTURBATION-THEORY
QUANTUM-WELLS
1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS
OPTICAL BOWINGS
NITRIDE
CONSTANTS
OFFSETS
FIELDS
DIODES
Growth and magnetic properties of zincblende CrSb epilayers on relaxed and strained (In, Ga)As buffers
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 493-496
作者:
Zheng YH
收藏
  |  
浏览/下载:205/0
  |  
提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MULTILAYER
CRAS
Depth dependence of the tetragonal distortion of a GaN layer on Si(111) studied by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 22, 页码: 4130-4132
Wu MF
;
Chen CC
;
Zhu DZ
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Langouche G
;
Zhang BS
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2010/08/12
X-RAY-DIFFRACTION
ELASTIC STRAIN
INGAN
A narrow photoluminescence linewidth of 19.2 meV at 1.35 mu m from In0.5Ga0.5As/GaAs quantum island structure grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 608-610
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Miao ZH
收藏
  |  
浏览/下载:88/5
  |  
提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
ROOM-TEMPERATURE
CAP LAYER
DOTS
GAAS
LUMINESCENCE
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2000, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 2271-2273
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
收藏
  |  
浏览/下载:54/0
  |  
提交时间:2010/08/12
REFLECTANCE DIFFERENCE SPECTROSCOPY
ZNSE/GAAS INTERFACE
STATES
GAAS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace