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科研机构
半导体研究所 [8]
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期刊论文 [8]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
2001 [1]
2000 [2]
1999 [2]
1993 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures
期刊论文
journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79
Kong LM (Kong Lingmin)
;
Cai JF (Cai Jiafa)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Gong Z (Gong Zheng)
;
Fang ZD (Fang Zhidan)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/04/11
InGaAs layer
InAs quantum dots
time-resolved PL spectra
1.3 MU-M
CARRIER DYNAMICS
LASERS
GROWTH
WAVELENGTH
EMISSION
ISLANDS
LAYERS
SIZE
Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864
作者:
Xu Yingqiang
;
Yang Xiaohong
;
Xu Yingqiang
;
Han Qin
;
Niu Zhichuan
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/23
Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal X-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic GaN/GaAs(001) epilayers
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Han JY
;
Liu S
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:106/6
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提交时间:2010/08/12
four-circle diffraction
GaN
phase content
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
GROWTH
STABILITY
RATIO
Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: 533-536
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS ISLANDS
INP(001)
GROWTH
GAAS
SEMICONDUCTORS
THICKNESS
LASERS
INGAAS
SIZE
InAs self-assembled nanostructures grown on InP(001)
期刊论文
chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 222-224
作者:
Xu B
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GAAS
THRESHOLD
GAAS(100)
SIZE
INP
Ultrafast low-temperature grown AlGaAs/GaAs photorefractive quantum wells using point defects as capture centers
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 10, 页码: 1366-1368
Zhang MH
;
Huang Q
;
Zhang YF
;
Zhou JM
;
Li Q
;
Xu ZY
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
LAYERS
DEPENDENCE
LIFETIME
Red luminescence from self-assembled InAlAs AlGaAs quantum dots with bimodal size distribution
期刊论文
chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 298-300
作者:
Xu B
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
PHOTOLUMINESCENCE
GE
TEMPERATURE
ENSEMBLES
SI(100)
GROWTH
SHAPE
THEORY OF THE ELECTRONIC-STRUCTURE OF POROUS SI
期刊论文
physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 5179-5186
XIA JB
;
CHANG YC
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
SILICON FILMS
QUANTUM WIRES
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
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