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半导体研究所 [11]
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期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2005 [2]
2003 [2]
2002 [2]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [11]
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学科主题:半导体物理
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Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1
Zhong, L
;
Ma, XY
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/08
tensile strain
GaAsP/GaInP
photoluminescence
quantum well
laser diodes
LP-MOCVD
Optical properties of the E-0+Delta(0) energy level higher than the bandgap of GaAs studied by micro-photoluminescence technique
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4213-4217
Bao ZH (Bao Zhi-Hua)
;
Jing WP (Jing Wei-Ping)
;
Luo XD (Luo Xiang-Dong)
;
Tan PH (Tan Ping-Heng)
收藏
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浏览/下载:126/0
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提交时间:2010/03/29
semi-insulated GaAs
Optical properties of alloy states in GaNxAs1-x (x < 0.01)
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2385-2388
Luo XD
;
Sun BH
;
Xu ZY
收藏
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浏览/下载:94/37
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提交时间:2010/03/17
GaNxAs1-x
Optical properties and exciton localization in GaNas/GaAs
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 185-188
作者:
Tan PH
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浏览/下载:101/48
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提交时间:2010/03/17
GaNAs
Alloy states in dilute GaAs1-xNx alloys (x < 1%)
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: 1697-1699
Luo XD
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Yang CL
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
BAND-GAP REDUCTION
GAASN
EXCITONS
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者:
Tan PH
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浏览/下载:144/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
NITROGEN
LUMINESCENCE
PRESSURE
STATES
ENERGY
Optical study of electronic states in GaAsN
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Luo XD
;
Yang CL
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE
QUANTUM-WELL
ALLOYS
RELAXATION
GAAS1-XNX
Raman study of low-temperature-grown Al0.29Ga0.71As/GaAs photorefractive materials
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: art.no.125325
作者:
Tan PH
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浏览/下载:76/4
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALXGA1-XAS ALLOYS
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
Radiative recombination characteristics in GaAs multilayer n(+)-i interfaces
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5444-5446
Shen WZ
;
Jiang LF
;
Yu G
;
Lai ZY
;
Wang XG
;
Shen SC
;
Cao X
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浏览/下载:95/14
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提交时间:2010/08/12
FAR-INFRARED DETECTORS
SI-DOPED GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYERS
Exciton states and optical spectra in CdSe nanocrystallite quantum dots
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 23, 页码: 15880-15886
作者:
Li JB
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTOR CLUSTERS
SIZE DEPENDENCE
ENERGY-LEVELS
CRYSTALLITES
ASSIGNMENT
WURTZITE
SPHERES
BANDS
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