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| Influence of longitudinal electric field on the hot-phonon effect in quantum wells 期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: art.no.013707
Zhang JZ (Zhang J. -Z.); Zhu BF (Zhu B. -F.)
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| A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys 期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637
Huang JS; Dong X; Lu XL; Xu ZY; Ge WK
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| A novel method of determining semiconductor parameters in EBIC and SEBIV modes of SEM 期刊论文
semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 361-366
Zhu SQ; Rau EI; Yang FH
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| Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者: Tan PH
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| Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy 期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK
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| Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film 期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570
Wang YQ; Chen WD; Chen CY; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Kong GL; Liao XB
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| Comparison of cooling rates for hot carriers in GaAs AlAs quantum wells based on macroscopic and microscopic phonon models 期刊论文
physical review b, 1999, 卷号: 59, 期号: 20, 页码: 13184-13195
Zhang JZ; Zhu BF; Huang J
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| Numerical evaluation of energy loss rate for hot carriers in quantum wells 期刊论文
superlattices and microstructures, 1998, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 87-92
Zhu BF; Huang K; Zhang JZ
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| Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption 期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077
Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Luo CP; Xu JZ; Ge WK; Zhang PH; Yang XP
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| THE THERMALIZATION OF PHOTOEXCITED HOT CARRIERS IN INXGA1-XAS/GAAS STRAINED SINGLE QUANTUM WELL STRUCTURES 期刊论文
superlattices and microstructures, 1990, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 13-16
XU ZY; GE WK; XU JZ; LI YZ; ZHENG BZ; ANDERSSON TG; CHEN ZG
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