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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102 作者:  Jiang DS;  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRES  HETEROSTRUCTURES  NANOSTRUCTURES  MOCVD  POLAR   Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：250/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY   Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4271-4274 Wang QY; Tan LW; Wang J; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 ECR plasma in growth of cubic GaN by low pressure MOCVD 期刊论文 plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174 Gu B; Xu Y; Qin FW; Wang SS; Sui Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/7  |  提交时间：2010/08/12 ECR plasma  cubic GaN  low pressure MOCVD  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CYCLOTRON-RESONANCE PLASMA  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAAS  DIMETHYLHYDRAZINE   Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305 Tan LW; Wang J; Wang QY; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  AL2O3  SI