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科研机构
半导体研究所 [41]
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期刊论文 [35]
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发表日期
2011 [1]
2008 [4]
2006 [4]
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2003 [4]
2002 [7]
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学科主题
半导体物理 [41]
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学科主题:半导体物理
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:35/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes on quantum well widths
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647
作者:
Zhang Y
;
Zhang Y
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浏览/下载:268/32
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提交时间:2010/03/08
resonant tunnelling diode
molecular beam epitaxy
Spectroscopy of long wavelength coupled quantum dots
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 17, 页码: art. no. 175102
Xiong, YH
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Dou, XM
;
Niu, ZC
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浏览/下载:89/1
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-SPIN
EMISSION
ISLANDS
GROWTH
STATES
Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110
Gai, YQ
;
Yao, B
;
Wei, ZP
;
Li, YF
;
Lu, YM
;
Shen, DZ
;
Zhang, JY
;
Zhao, DX
;
Fan, XW
;
Li, JB
;
Xia, JB
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE ZNO
II-VI
BAND-GAP
SEMICONDUCTORS
FILMS
MGXZN1-XO
EPITAXY
MOCVD growth of InN using a GaN buffer
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85
作者:
Yang H
;
Wang LL
;
Wang H
;
Yang H
;
Zhu JJ
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浏览/下载:52/1
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提交时间:2010/03/08
surface
Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412
Song SF
;
Chen WD
;
Xu ZJ
;
Xu XR
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Er
Pr-implautation
deep level transient spectroscopy
N-TYPE GAN
DEFECTS
EPITAXY
TRAPS
Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582
Zhao H (Zhao Huan)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Wu RH (Wu Rong-Han)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
ORIGIN
Temperature and pressure dependences of the copper-related green emission in ZnO microrods
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: art.no.013107
Su FH (Su F. H.)
;
Liu YF (Liu Y. F.)
;
Chen W (Chen W.)
;
Wang WJ (Wang W. J.)
;
Ding K (Ding K.)
;
Li GH (Li G. H.)
;
Joly AG (Joly A. G.)
;
McCready DE (McCready D. E.)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/04/11
ZINC-OXIDE
OPTICAL-PROPERTIES
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
IMPURITIES
NANOWIRES
SAPPHIRE
GROWTH
BAND
CU
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ding L
;
Wang FZ
;
Ye ZZ
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-TYPE ZNO
OPTICAL-PROPERTIES
EXCITON FORMATION
PHOTOLUMINESCENCE
FILMS
SPECTROSCOPY
DYNAMICS
IMPURITY
ENERGY
Structural and optical properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.5 mu m
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 274, 期号: 1-2, 页码: 78-84
Gong Z
;
Fang ZD
;
Miao ZH
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/17
1.5 mu m light
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