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半导体研究所 [23]
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期刊论文 [22]
会议论文 [1]
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2011 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [3]
2004 [1]
2002 [3]
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学科主题
半导体物理 [23]
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学科主题:半导体物理
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Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:106/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires
期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:
Li JB
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2010/04/22
Twinning
Nanotructures
Fracture
Buckling
Molecular dynamics
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AB-INITIO CALCULATIONS
BETA-SIC NANOWIRES
LOW-TEMPERATURE
THIN-FILMS
SIMULATION
ELASTICITY
NANOTUBES
POLYTYPES
GROWTH
Resonant tunneling through S- and U-shaped graphene nanoribbons
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 41, 页码: art. no. 415203
作者:
Wu ZH
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浏览/下载:55/2
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提交时间:2010/03/08
CONDUCTANCE
VOLTAGE
RIBBONS
Strong Spin-Orbit Interactions in an InAlAs/InGaAs/InAlAs Two-Dimensional Electron Gas by Weak Antilocalization Analysis
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: art. no. 063004
Sun L
;
Zhou WZ
;
Yu GL
;
Shang LY
;
Gao KH
;
Zhou YM
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Chu JH
收藏
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELLS
GRADED HETEROSTRUCTURES
LOCALIZATION
SCATTERING
SYSTEMS
TIME
HETEROJUNCTIONS
Structural, electrical, and optical properties of InAsxSb1-x epitaxial films grown by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 7, 页码: art. no. 073712
作者:
Wang Y
;
Zhang XW
;
Yin ZG
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
Electric tunable of electron spin polarization in hybrid magnetic-electric barrier structures
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 40, 页码: 6216-6220
Xu, HZ
;
Yan, Q
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/03/08
Spin-dependent transport
Spin polarization
Electric manipulation
Spin filter
Photoluminescence characterization of nanocrystalline ZnO array
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 2301-2304
Chang YQ
;
Yu DP
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Zhang Y
;
Chen YF
;
Yang FH
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浏览/下载:121/18
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:
Han PD
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
nitrogen vacancy scattering
GaN
mobility
MOCVD
N-TYPE GAN
NITRIDE
FILMS
Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321
作者:
Ye XL
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
EXCITON LOCALIZATION
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
POLARIZATION
SEGREGATION
MORPHOLOGY
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