×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [14]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [2]
2009 [1]
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
更多...
学科主题
半导体物理 [15]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Ferromagnetic properties in Fe-doped ZnS thin films
期刊论文
optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075
Zhu F
;
Dong S
;
Yang GD
收藏
  |  
浏览/下载:38/1
  |  
提交时间:2011/07/06
Fe-doped ZnS
First principles calculation
Ferromagnetic properties
High Curie temperature
OPTICAL-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
Room-Temperature Ferromagnetism in Co-Doped In2O3 Nanocrystals
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2010, 卷号: 114, 期号: 41, 页码: 17569-17573
Meng XQ (Meng Xiuqing)
;
Tang LM (Tang Liming)
;
Li JB (Li Jingbo)
收藏
  |  
浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2010/11/02
THIN-FILMS
QUANTUM DOTS
AB-INITIO
INDIUM
ZNO
SEMICONDUCTORS
ACTIVATION
OXIDATION
ELECTRON
ENERGY
Transient Reorientation of a Doped Liquid Crystal System under a Short Laser Pulse
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 086108
Li T
;
Xiang Y
;
Liu YK
;
Wang J
;
Yang SL
收藏
  |  
浏览/下载:94/0
  |  
提交时间:2010/03/08
INDUCED FREEDERICKSZ TRANSITION
AZO-DYE
NONLINEARITY
Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1
Zhong, L
;
Ma, XY
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2010/03/08
tensile strain
GaAsP/GaInP
photoluminescence
quantum well
laser diodes
LP-MOCVD
RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562
Song SF
;
Zhou SQ
;
Chen WD
;
Zhu JJ
;
Chen CY
;
Xu ZJ
收藏
  |  
浏览/下载:235/3
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
erbium
Raman back scattering
photoluminscence
DOPED GAN
ERBIUM
PHOTOLUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
Optical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 310-314
Lu LW
;
Wang ZG
;
Yang CL
;
Wang J
;
Ma ZH
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:93/10
  |  
提交时间:2010/08/12
II-VI semiconductor
self-organized quantum dots
optical and electrical properties
TEMPERATURE-DEPENDENCE
WELL STRUCTURES
LASER-DIODES
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
EPILAYERS
SURFACE
STATES
Strong three-level resonant magnetopolaron effect due to the intersubband coupling in heavily modulation-doped GaAs/AlxGa1-xAs single quantum wells at high magnetic-fields
期刊论文
physical review b, 2001, 卷号: 64, 期号: 16, 页码: art.no.161303
Wang YJ
;
Leem YA
;
McCombe BD
;
Wu XG
;
Peeters FM
;
Jones ED
;
Reno JR
;
Lee XY
;
Jiang HW
收藏
  |  
浏览/下载:93/10
  |  
提交时间:2010/08/12
POLARON-CYCLOTRON-RESONANCE
GAAS-ALAS SUPERLATTICES
PHONON MODES
HETEROSTRUCTURES
Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596
Zhu QS
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:54/0
  |  
提交时间:2010/08/12
LAYER
Infrared absorption efficiency in AlAs/AlxGa1-xAs type-II multiple-quantum-well structure grown on (211) GaAs substrate
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2000, 卷号: 217, 期号: 2, 页码: 833-840
Zhu QS
;
He YP
;
Zhong ZT
;
Sun XH
;
Hiramatsu K
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
PHOTODETECTOR
ALAS
Theoretical analysis and experimental study of Fourier transformation of Franz-Keldysh oscillations in GaAs
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 11, 页码: 6429-6435
作者:
Jin P
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/08/12
DELTA-DOPED GAAS
UNDOPED GAAS
PHOTOREFLECTANCE
FIELD
SPECTROSCOPY
MODULATION
ELECTROREFLECTANCE
SURFACE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace