×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [2]
2008 [2]
2007 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
更多...
学科主题
半导体物理 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
收藏
  |  
浏览/下载:105/1
  |  
提交时间:2010/10/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN NANOWIRES
NATIVE DEFECTS
COMPLEXES
EPITAXY
GROWTH
ARRAYS
First principles study of electronic properties of gallium nitride nanowires grown along different crystal directions
期刊论文
computational materials science, 2010, 卷号: 50, 期号: 2, 页码: 344-348
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:53/11
  |  
提交时间:2011/07/05
GaN nanowires
Electronic properties
First principles
GAN NANOWIRES
AB-INITIO
EMISSION PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
ARRAYS
Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280
Cui, JP
;
Wang, XF
;
Duan, Y
;
He, JX
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2010/03/08
THIN-FILMS
BULK ZNO
SCATTERING
PRESSURE
Elasticity, band structure, and piezoelectricity of BexZn1-xO alloys
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 16, 页码: 2930-2933
Duan, YF
;
Shi, HL
;
Qin, LX
收藏
  |  
浏览/下载:80/0
  |  
提交时间:2010/03/08
first-principles
bowing coefficients
piezoelectricity
alloys
elasticity
semiconductor
Two opposite gradients of hole density in as-grown and annealed (Ga,Mn)As layers
期刊论文
journal of magnetism and magnetic materials, 2007, 卷号: 308, 期号: 2, 页码: 313-317
作者:
Tan PH
;
Gan HD
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2010/04/11
magnetic semiconductors
Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318
Leung BH
;
Chan NH
;
Fong WK
;
Zhu CF
;
Ng SW
;
Lui HF
;
Tong KY
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:129/0
  |  
提交时间:2010/08/12
deep level transient Fourier spectroscopy
(DLTFS)
gallium nitride (GaN)
intermediate-temperature buffer layer (ITBF)
low-frequency noise
RESONANT-TUNNELING DIODES
GENERATION-RECOMBINATION NOISE
RANDOM-TELEGRAPH NOISE
ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS
DEVICES
Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
Xu XL
;
Liu HT
;
Shi CS
;
Zhao YW
;
Fung S
;
Beling CD
收藏
  |  
浏览/下载:127/15
  |  
提交时间:2010/08/12
LIGHT-EMITTING DIODES
GALLIUM NITRIDE
YELLOW LUMINESCENCE
ELECTRON
PHOTOLUMINESCENCE
EPILAYERS
VACANCIES
INTERFACE
MECHANISM
ENERGY
Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
Liu XL
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Wang XH
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Mg-doped
AlGaN/GaN superlattices
resistivity
hole concentration
POLARIZATION
Cyclotron-resonance mass of two-dimensional electrons in GaN/AlxGa1-xN heterostructures
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 23, 页码: 15438-15440
Wu XG
;
Peeters FM
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/11/17
POLARON
GAN
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace