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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2015 [1]
2009 [2]
2006 [1]
2001 [1]
1999 [1]
1995 [1]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets
期刊论文
nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15757-15762
Kai Xu
;
Hui-Xiong Deng
;
Zhenxing Wang
;
Yun Huang
;
Feng Wang
;
Shu-Shen Li
;
Jun-Wei Luo
;
Jun He
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/03/29
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:71/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597
Tsang MS
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Y
;
Han HX
;
Li LH
;
Pan Z
收藏
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浏览/下载:99/11
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提交时间:2010/08/12
GAINNAS ALLOYS
BAND-STRUCTURE
GAAS
NITROGEN
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
BEHAVIOR
MASS
High-frequency hydrogen-related infrared modes in silicon grown in a hydrogen atmosphere
期刊论文
physical review b, 1999, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 7500-7506
Pajot B
;
Clerjaud B
;
Xu ZJ
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
ION-IMPLANTED SILICON
UNIAXIAL-STRESS
ABSORPTION
NITROGEN
DEFECT
GERMANIUM
COMPLEXES
OXYGEN
LEVEL
BANDS
ENHANCEMENT EFFECT OF PLASMA-ENHANCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITED SIN CAPPING LAYER ON DIELECTRIC CAP QUANTUM-WELL DISORDERING
期刊论文
japanese journal of applied physics part 2-letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 4a, 页码: l418-l421
CHOI WJ
;
LEE S
;
ZHANG JM
;
KIM Y
;
KIM SK
;
LEE JI
;
KANG KN
;
CHO K
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
DIELECTRIC CAP QUANTUM WELL DISORDERING
GAAS/ALGAAS MULTIPLE QUANTUM WELL
SILICON NITRIDE
PECVD
VACANCY DIFFUSION
OUT-DIFFUSION
WAVE-GUIDE
LASERS
GAAS
FILMS
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