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半导体研究所 [62]
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半导体物理 [62]
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学科主题:半导体物理
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Fabrication and photoelectric properties of La-doped p-type ZnO nanofibers and crossed p–n homojunctions by electrospinning
期刊论文
Nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 23, 页码: 10513-10518
H.D. Zhang
;
M. Yu
;
J.C. Zhang
;
C.H. Sheng
;
X. Yan
;
W.P. Han
;
Y.C. Liu
;
S. Chen
;
G.Z. Shen
;
Y.Z. Long
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2016/03/29
High-Performance Few-layer Mo-doped ReSe2 Nanosheet Photodetectors
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 5442
Yang, SX
;
Tongay, S
;
Yue, Q
;
Li, YT
;
Li, B
;
Lu, FY
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/04/02
Chemical trends of magnetic interaction in Mn-doped III-V
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 12, 页码: 122409
H. Peng, J. Li, S. H. Wei
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2014/03/26
Electron-mediated ferromagnetism in Fe-doped InP: Theory and experiment
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 097502
Dong S (Dong Shan)
;
Zhu F (Zhu Feng)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/04/02
Room-temperature ferromagnetism of Mn-doped InAs by a diffusion treatment
期刊论文
optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2012, 卷号: 6, 期号: 1-2, 页码: 174-177
Dong, S
;
Zhu, F
;
Yang, GD
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/03/17
Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
Zhu BL
;
Zhu SJ
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
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浏览/下载:96/5
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提交时间:2011/07/05
conductivity
doping
photoluminescence
pulsed laser deposition
ZnO
ZINC-OXIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
OXYGEN-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
VIOLET
GROWTH
FABRICATION
DEPENDENCE
Electrode-contact enhancement in silicon nanowire-array-textured solar cells
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 14, 页码: article no.143108
Chen C
;
Jia R
;
Li HF
;
Meng YL
;
Liu XY
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Tamotsu H
;
Wu NJ
;
Wang SL
;
Chu JH
收藏
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507
作者:
Wang LG
;
Chen L
;
Zhu H
收藏
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浏览/下载:43/5
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提交时间:2011/07/05
GALLIUM-ARSENIDE
SEMICONDUCTORS
FIELD
Electronic structure and magnetic coupling properties of Gd-doped AlN: first-principles calculations
期刊论文
european physical journal b, 2010, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 345-349
Zhang YJ (Zhang Y. J.)
;
Shi HL (Shi H. -L.)
;
Wang SX (Wang S. X.)
;
Zhang P (Zhang P.)
;
Li RW (Li R. W.)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/27
Electron spin dynamics in heavily Mn-doped (Ga,Mn)As
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262109
作者:
Chen L
;
Zhang XH
收藏
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浏览/下载:63/6
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提交时间:2011/07/05
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
GAAS
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